Điều trị tàn nhang tận gốc nhanh nhất

Banner khuyen maiHot

Tàn nhang là một trong những kẻ thù cứng đầu với làn da của chị em phụ nữ. Thực chất chúng là sự sản sinh quá mức của lượng hắc sắc tố melanin dưới da. Điều trị tàn nhang tận gốc có rất nhiều cách, bài viết ngày sẽ đưa ra giải pháp hay giúp bạn.

 

dieu tri tan nhang tan goc nhanh nhat

Điều trị tàn nhang tận gốc nhanh nhất

 

Nguyên nhân gây ra tàn nhang?

 

1/ Thay đổi hormon, nội tiết tố: Phụ nữ mang thai, sau khi sinh con thường bị suy giảm nội tiết tố nữ khiến da khô, thiếu độ ẩm từ đó xuất hiện tàn nhang.

 

2/ Ánh nắng mặt trời: Trong các nguyên nhân gây tàn nhang, ánh nắng mặt trời có lẽ là tác nhân khủng khiếp nhất. Đây là nguyên nhân gây tàn nhang nhiều nhất. Ngay cả khi bạn đã điều trị tàn nhang tận gốc thành công, nếu khi đi ra ngoài không che chắn cẩn thận thì tàn nhang ngay lập tức sẽ tái phát trở lại.

 

3/ Do sử dụng hóa mỹ phẩm không đúng cách: thành phần hóa học chứa trong sản phẩm sẽ gây bào mòn và hỏng da theo thời gian.

 

Để chữa trị tàn nhang tận gốc các chuyên gia da liễu khuyên bạn nên sử dụng công nghệ trị tàn nhang bằng ánh sáng New Elight – phát minh mới đến từ Mỹ được đánh giá là giải pháp vàng trong điều trị tàn nhang.

 

dieu tri tan nhang tan goc nhanh nhat

Ánh sáng New Elight – khắc tinh của tàn nhang

 

New Elight chính là sự kết hợp hoàn hảo giữa 2 bước sóng mạnh mẽ IPL và RF. Cả 2 đều có luồng xung điện cực mạnh nên có khả năng phá hủy tận gốc chân tàn nhang trong khoảng thời gian rất ngắn.

Bước sóng IPL: phá hủy toàn bộ các sắc tố melanin, phá vỡ cấu trúc tàn nhang và loại bỏ chúng hoàn toàn ra ngoài theo đường bạch huyết.

Bước sóng RF: kích thích chuỗi collagen phát triển, thúc đẩy quá trình tái tạo da cho làn da tươi trẻ mịn màng nhanh chóng.

 

Chỉ với một liệu trình ngắn điều trị bằng công nghệ này sẽ có khả năng điều trị tàn nhang tận gốc nhanh nhất cho bạn.

 

Để biết thêm chi tiết, tham khảo công nghệ New Elight

Bình luận mặc định Bình luận Facebook

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *